簡介

KYDP10壓力變送器采用單晶硅技術(shù)壓力傳感器，單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部，遠(yuǎn)離介質(zhì)接觸面，實(shí)現(xiàn)機(jī)械隔離和熱隔離，玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線與金屬基體的高強(qiáng)度電氣絕緣，提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護(hù)的能力，可應(yīng)對復(fù)雜的化學(xué)場合和機(jī)械負(fù)荷，同時(shí)具備較強(qiáng)的抗電磁干擾能力，適合苛刻的流程工業(yè)環(huán)境中壓力測量應(yīng)用。

優(yōu)勢

單晶硅壓阻技術(shù)壓力傳感器

中心膜片過載防護(hù)結(jié)構(gòu)

特征

測量范圍: 200Pa~3MPa

輸出信號(hào): 4-20mA,4~20mA/HART

參考精度: ±0.1%,±0.075%,±0.05% URL

介質(zhì)溫度: -40-120℃,

測量介質(zhì)：液體、氣體或蒸汽

電源: 4~20mA 二線制, 10.5-55vdc、4~20mA+HART 二線制, 16.5-55vdc

膜片材質(zhì)：316L不銹鋼，哈氏合金C

年穩(wěn)定性: ±0.2% URL/5年

過程連接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)

防護(hù)等級(jí): IP67

認(rèn)證: 防爆認(rèn)證

常用型號(hào)： KYDP10-T11A21F-M1L1

       KYDP10-T11B21F-M1L1

       KYDP10-T11C21F-M1L1

       KYDP10-T11D21F-M1L1

       KYDP10-T11E21F-M1L1